Infineon Technologies - IRFB7787PBF

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Número de peza:
IRFB7787PBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 75V 83A TO220.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Diodos - Zener - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Tiristores: SCRs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB7787PBF Atributos do produto

Número de peza : IRFB7787PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 75V 83A TO220
Serie : HEXFET®, StrongIRFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 75V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 76A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 109nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 4020pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 125W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220AB
Paquete / Estuche : TO-220-3

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