Vishay Siliconix - SIRA14BDP-T1-GE3

KEY Part #: K6395935

SIRA14BDP-T1-GE3 Prezos (USD) [463435unidades de stock]

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Número de peza:
SIRA14BDP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK SO-8.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRA14BDP-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SIRA14BDP-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK SO-8
Serie : TrenchFET® Gen IV
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 21A (Ta), 64A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.38 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (máximo) : +20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 917pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 3.7W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche : PowerPAK® SO-8