Número de peza :
1SV279,H3F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
PB-F ESC VARICAP DIODE HF IR
Capacitancia @ Vr, F :
6.5pF @ 10V, 1MHz
Ratio de capacitancia :
2.5
Ratio de capacidade :
C2/C10
Tensión - Pico inverso (máximo) :
15V
Temperatura de operación :
125°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SC-79, SOD-523
Paquete de dispositivos de provedores :
ESC