GeneSiC Semiconductor - MBR60060CT

KEY Part #: K6468816

MBR60060CT Prezos (USD) [969unidades de stock]

  • 1 pcs$50.01357
  • 25 pcs$49.76475

Número de peza:
MBR60060CT
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrición detallada:
DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 60P42RV
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unión programable, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: DIACs, SIDACs and Diodos: rectificadores de ponte ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR60060CT electronic components. MBR60060CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR60060CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR60060CT Atributos do produto

Número de peza : MBR60060CT
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrición : DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER
Serie : -
Estado da parte : Active
Configuración do diodo : 1 Pair Common Cathode
Tipo de diodo : Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 60V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) : 300A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 800mV @ 300A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 1mA @ 20V
Temperatura de funcionamento: unión : -50°C ~ 150°C
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Twin Tower
Paquete de dispositivos de provedores : Twin Tower
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