VS-4ESH02-M3/87A Prezos (USD) [492735unidades de stock]
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- Número de peza:
- VS-4ESH02-M3/87A
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 4A 200V
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Arrays and Tiristores - SCRs - Módulos ...
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VS-4ESH02-M3/87A Atributos do produto
Número de peza :
VS-4ESH02-M3/87A
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
Serie :
FRED Pt®
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) :
4A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
930mV @ 4A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
25ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
2µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-277, 3-PowerDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C
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