Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrición :
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB
Tipo de diodo :
Single Phase
Tensión - Pico inverso (máximo) :
800V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.1V @ 1A
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 800V
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Paquete de dispositivos de provedores :
DB