Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Inicio
  2. Produtos
  3. Circuítos Integrados (ICs)
  4. Memoria
  5. IS43DR16160B-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16160B-3DBLI-TR

KEY Part #: K939462

IS43DR16160B-3DBLI-TR Prezos (USD) [25207unidades de stock]

  • 1 pcs$2.30947
  • 2,500 pcs$2.29798
Número de peza:
IS43DR16160B-3DBLI-TR
Fabricante:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrición detallada:
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 256Mb, 1.8V, 333MHz 16M x 16 DDR2
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Lóxica: Cintos, PMIC - Cargadores de baterías, Interfaz: Sensor, tacto capacitivo, Lóxica: Interruptores de sinal, multiplexadores, d, Lineal - Amplificadores - Instrumentación, amplifi, Lineal - Amplificadores - Audio, Reloxo / cronometraxe - Especificación da aplicaci and Propósito especial do audio ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBLI-TR electronic components. IS43DR16160B-3DBLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16160B-3DBLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16160B-3DBLI-TR Atributos do produto

Número de peza : IS43DR16160B-3DBLI-TR
Fabricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrición : IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - DDR2
Tamaño da memoria : 256Mb (16M x 16)
Frecuencia do reloxo : 333MHz
Cycle Time - Word, páx : 15ns
Tempo de acceso : 450ps
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de operación : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 84-TFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 84-TWBGA (8x12.5)

Últimas novas

Silicom MinnowBoard Turbot
Tamén pode estar interesado
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • CY7C199D-25SXE

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256Kb 25ns 32K x 8 SRAM

  • AS8C401801-QC166N

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M, 3.3V, 166MHz 256K x 18 Synch SRAM

  • AS8C401825-QC75N

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M, 3.3V, 7.5ns 256K x 18 Synch SRAM

  • AS8C403625-QC75N

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M, 3.3V, 7.5ns 128K x 36 Synch SRAM

  • AS8C403600-QC150N

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M, 3.3V, 150MHz 128K x 36 Synch SRAM

Pezas quentes