Vishay Semiconductor Diodes Division - S1G-E3/5AT

KEY Part #: K6454940

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Número de peza:
S1G-E3/5AT
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt 40A IFSM @ 8.3ms
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1G-E3/5AT Atributos do produto

Número de peza : S1G-E3/5AT
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 400V
Actual - Media rectificada (Io) : 1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.1V @ 1A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 1.8µs
Actual - Fuga inversa @ Vr : 1µA @ 400V
Capacitancia @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivos de provedores : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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