DMTH10H010SCT Prezos (USD) [68703unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMTH10H010SCT
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unión programable, Diodos - RF and Transistores - IGBTs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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DMTH10H010SCT Atributos do produto
Número de peza :
DMTH10H010SCT
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
56.4nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4468pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 187W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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