RJK6032DPH-E0#T2 Prezos (USD) [182616unidades de stock]
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- Número de peza:
- RJK6032DPH-E0#T2
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 3A TO251.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Single, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - JFETs, Tiristores: SCRs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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RJK6032DPH-E0#T2 Atributos do produto
Número de peza :
RJK6032DPH-E0#T2
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Serie :
-
Estado da parte :
Last Time Buy
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
9nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
285pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
40.3W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-251
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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