VBT1080S-M3/8W Prezos (USD) [177049unidades de stock]
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- Número de peza:
- VBT1080S-M3/8W
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,80V,TRENCH SKY RECT.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - RF, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VBT1080S-M3/8W electronic components. VBT1080S-M3/8W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VBT1080S-M3/8W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VBT1080S-M3/8W Atributos do produto
Número de peza :
VBT1080S-M3/8W
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
80V
Actual - Media rectificada (Io) :
10A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
810mV @ 10A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
600µA @ 80V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263AB
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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