RGTH00TS65GC11 Prezos (USD) [22533unidades de stock]
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- 500 pcs$1.02754
- 1,000 pcs$0.86660
- 2,500 pcs$0.82533
- Número de peza:
- RGTH00TS65GC11
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- IGBT 650V 85A 277W TO-247N.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unión programable and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
- Ventaxa competitiva:
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RGTH00TS65GC11 Atributos do produto
Número de peza :
RGTH00TS65GC11
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
650V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
85A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
200A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 50A
Potencia: máx :
277W
Enerxía de conmutación :
-
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
94nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
39ns/143ns
Condición da proba :
400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-247-3
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247N
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