Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 16A DO4
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
16A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
900mV @ 16A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
200ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
25µA @ 100V
Tipo de montaxe :
Chassis, Stud Mount
Paquete / Estuche :
DO-203AA, DO-4, Stud
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-4
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 150°C