Micron Technology Inc. - MT47H64M8SH-25E AIT:H TR

KEY Part #: K938332

MT47H64M8SH-25E AIT:H TR Prezos (USD) [20137unidades de stock]

  • 1 pcs$2.27566

Número de peza:
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR
Fabricante:
Micron Technology Inc.
Descrición detallada:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA. DRAM DDR2 512M 64MX8 FBGA
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Interfaz: Sensor, tacto capacitivo, Interface: Serializadores, deserializadores, Lineal - Multiplicadores analóxicos, divisores, Incrustado: PLDs (Dispositivo lóxico programable), Interface - Interruptores analóxicos - Finalidade , Interface: gravación e reprodución de voz, Lineal - Amplificadores - Finalidade especial and PMIC - Controladores de porta ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E AIT:H TR electronic components. MT47H64M8SH-25E AIT:H TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT47H64M8SH-25E AIT:H TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H64M8SH-25E AIT:H TR Atributos do produto

Número de peza : MT47H64M8SH-25E AIT:H TR
Fabricante : Micron Technology Inc.
Descrición : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Serie : -
Estado da parte : Last Time Buy
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - DDR2
Tamaño da memoria : 512Mb (64M x 8)
Frecuencia do reloxo : 400MHz
Cycle Time - Word, páx : 15ns
Tempo de acceso : 400ps
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de operación : -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 60-TFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 60-FBGA (10x18)

Tamén pode estar interesado
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • 71V25761S166PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W9812G2KB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,