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- Número de peza:
- SIDC42D120F6X1SA3
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - Finalidade especial ...
- Ventaxa competitiva:
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SIDC42D120F6X1SA3 Atributos do produto
Número de peza :
SIDC42D120F6X1SA3
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
Serie :
-
Estado da parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1200V
Actual - Media rectificada (Io) :
50A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
2.1V @ 50A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
27µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
Die
Paquete de dispositivos de provedores :
Sawn on foil
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18