Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP30GHE3/73

KEY Part #: K6448135

[1187unidades de stock]


    Número de peza:
    EGP30GHE3/73
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición detallada:
    DIODE GEN PURP 400V 3A GP20.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGP30GHE3/73 Atributos do produto

    Número de peza : EGP30GHE3/73
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición : DIODE GEN PURP 400V 3A GP20
    Serie : SUPERECTIFIER®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo de diodo : Standard
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 400V
    Actual - Media rectificada (Io) : 3A
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.25V @ 3A
    Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de recuperación inversa (trr) : 50ns
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 400V
    Capacitancia @ Vr, F : -
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete / Estuche : DO-201AA, DO-27, Axial
    Paquete de dispositivos de provedores : GP20
    Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 150°C

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