Transphorm - TPD3215M

KEY Part #: K6522772

TPD3215M Prezos (USD) [522unidades de stock]

  • 1 pcs$97.80421
  • 10 pcs$93.08330

Número de peza:
TPD3215M
Fabricante:
Transphorm
Descrición detallada:
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPD3215M Atributos do produto

Número de peza : TPD3215M
Fabricante : Transphorm
Descrición : GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Serie : -
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 28nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2260pF @ 100V
Potencia: máx : 470W
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : Module
Paquete de dispositivos de provedores : Module

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