NTHS4166NT1G Prezos (USD) [503208unidades de stock]
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- Número de peza:
- NTHS4166NT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
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NTHS4166NT1G Atributos do produto
Número de peza :
NTHS4166NT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.9A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
900pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
800mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
ChipFET™
Paquete / Estuche :
8-SMD, Flat Lead
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