Vishay Siliconix - SQD45N05-20L-GE3

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SQD45N05-20L-GE3 Prezos (USD) [49823unidades de stock]

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Número de peza:
SQD45N05-20L-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 50V 50A TO252.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Single, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD45N05-20L-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SQD45N05-20L-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 50V 50A TO252
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 50V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 50A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1800pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TO-252, (D-Pak)
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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