JAN1N6625US Prezos (USD) [5495unidades de stock]
- 1 pcs$7.53689
- 100 pcs$7.49939
- Número de peza:
- JAN1N6625US
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A. Rectifiers Rectifier
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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JAN1N6625US Atributos do produto
Número de peza :
JAN1N6625US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/585
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1100V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.75V @ 1A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
60ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1µA @ 1100V
Capacitancia @ Vr, F :
10pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SQ-MELF, A
Paquete de dispositivos de provedores :
D-5A
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 150°C
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- RN 1ZV
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- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF