IRG8CH137K10F Prezos (USD) [6037unidades de stock]
- 1 pcs$9.55325
- Número de peza:
- IRG8CH137K10F
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IGBT CHIP WAFER.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - JFETs ...
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IRG8CH137K10F Atributos do produto
Número de peza :
IRG8CH137K10F
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IGBT CHIP WAFER
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
-
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
150A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
-
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 150A
Potencia: máx :
-
Enerxía de conmutación :
-
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
820nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
115ns/570ns
Condición da proba :
600V, 150A, 2 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
Die
Paquete de dispositivos de provedores :
Die
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