Toshiba Semiconductor and Storage - RN1901FETE85LF

KEY Part #: K6529144

RN1901FETE85LF Prezos (USD) [1335257unidades de stock]

  • 1 pcs$0.02770

Número de peza:
RN1901FETE85LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Tiristores: SCRs and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN1901FETE85LF Atributos do produto

Número de peza : RN1901FETE85LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de transistor : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 100mA
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 50V
Resistor - Base (R1) : 4.7 kOhms
Resistor - Base do emisor (R2) : 4.7 kOhms
Ganancia de corrente continua (hFE) (min) @ ic, Vce : 30 @ 10mA, 5V
Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición : 250MHz
Potencia: máx : 100mW
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos de provedores : ES6

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