Número de peza :
RN1901FETE85LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Tipo de transistor :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
100mA
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
50V
Resistor - Base (R1) :
4.7 kOhms
Resistor - Base do emisor (R2) :
4.7 kOhms
Ganancia de corrente continua (hFE) (min) @ ic, Vce :
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición :
250MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos de provedores :
ES6