[1036unidades de stock]
- Número de peza:
- FF800R17KF6CB2NOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IGBT MODULE VCES 1200V 800A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Unión programable and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
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FF800R17KF6CB2NOSA1 Atributos do produto
Número de peza :
FF800R17KF6CB2NOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IGBT MODULE VCES 1200V 800A
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo IGBT :
-
Configuración :
2 Independent
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1700V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
-
Potencia: máx :
6250W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
3.1V @ 15V, 800A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
1.5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
52nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operación :
-40°C ~ 125°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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