BAS116LT1G Prezos (USD) [2081491unidades de stock]
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- 15,000 pcs$0.01355
- 30,000 pcs$0.01276
- 75,000 pcs$0.01196
- 150,000 pcs$0.01063
- Número de peza:
- BAS116LT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75V 200mA
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unión programable and Transistores - Finalidade especial ...
- Ventaxa competitiva:
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BAS116LT1G Atributos do produto
Número de peza :
BAS116LT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
75V
Actual - Media rectificada (Io) :
200mA (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.25V @ 150mA
Velocidade :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) :
3µs
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5nA @ 75V
Capacitancia @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-23-3 (TO-236)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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