MBR10150HC0G Prezos (USD) [273998unidades de stock]
- 1 pcs$0.13499
- Número de peza:
- MBR10150HC0G
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 150V 10A TO220AC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - JFETs, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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MBR10150HC0G Atributos do produto
Número de peza :
MBR10150HC0G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 150V 10A TO220AC
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
150V
Actual - Media rectificada (Io) :
10A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.05V @ 10A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100µA @ 150V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-220-2
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AC
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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Pezas quentes
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
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- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18