IXDN602SI Prezos (USD) [48589unidades de stock]
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- 250 pcs$0.60583
- 500 pcs$0.53010
- 1,000 pcs$0.43923
- 2,500 pcs$0.40894
- 5,000 pcs$0.39379
- Número de peza:
- IXDN602SI
- Fabricante:
- IXYS Integrated Circuits Division
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO. Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Incrustado: FPGAs (Array Gate Gate Programable), Interface - Síntese dixital directa (DDS), PMIC - Controladores de motor, controladores, Conversores de PMIC - RMS a DC, Lóxica: Buffers, Drivers, Receivers, Transceivers, Interface - Terminadores de sinal, Reloxo / Temporalización - Liñas de atraso and Interface - Controladores, receptores, transceptor ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in IXYS Integrated Circuits Division IXDN602SI electronic components. IXDN602SI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXDN602SI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXDN602SI Atributos do produto
Número de peza :
IXDN602SI
Fabricante :
IXYS Integrated Circuits Division
Descrición :
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Configuración conducida :
Low-Side
Tipo de canle :
Independent
Número de condutores :
2
Tipo de porta :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensión - subministración :
4.5V ~ 35V
Tensión lóxica - VIL, VIH :
0.8V, 3V
Actual - Saída máxima (fonte, afundimento) :
2A, 2A
Tipo de entrada :
Non-Inverting
Tensión lateral elevada: máx. :
-
Tempo de subida / caída (típico) :
7.5ns, 6.5ns
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOIC-EP
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