Número de peza :
STW56N65M2-4
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 650V I2PAKFP
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
49A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
62 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
93nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3900pF @ 100V
Disipación de potencia (máx.) :
358W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247-4L
Paquete / Estuche :
TO-247-4