MBR860MFST1G Prezos (USD) [295205unidades de stock]
- 1 pcs$0.12529
- 3,000 pcs$0.11923
- Número de peza:
- MBR860MFST1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- DIODE SCHOTTKY 60V 8A 5DFN. Schottky Diodes & Rectifiers 8.0 A, 60 V SCHOTTKY DIOD
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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MBR860MFST1G Atributos do produto
Número de peza :
MBR860MFST1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 60V 8A 5DFN
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
60V
Actual - Media rectificada (Io) :
8A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
800mV @ 8A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
150µA @ 60V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN, 5 Leads
Paquete de dispositivos de provedores :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
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- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
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