IXFN32N100Q3 Prezos (USD) [2054unidades de stock]
- 1 pcs$24.24912
- 10 pcs$22.67483
- 100 pcs$19.66014
- Número de peza:
- IXFN32N100Q3
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IXFN32N100Q3 Atributos do produto
Número de peza :
IXFN32N100Q3
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
28A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
320 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 8mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
195nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
9940pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
780W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-227B
Paquete / Estuche :
SOT-227-4, miniBLOC
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