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- Número de peza:
- FQD5P20TM_F080
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQD5P20TM_F080 electronic components. FQD5P20TM_F080 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD5P20TM_F080, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQD5P20TM_F080 Atributos do produto
Número de peza :
FQD5P20TM_F080
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Serie :
QFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.7A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 1.85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
430pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D-Pak
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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