IPI147N12N3GAKSA1 Prezos (USD) [90926unidades de stock]
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- 500 pcs$0.42826
- Número de peza:
- IPI147N12N3GAKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - JFETs and Tiristores: TRIAC ...
- Ventaxa competitiva:
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IPI147N12N3GAKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPI147N12N3GAKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
120V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
56A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.7 mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 61µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
49nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3220pF @ 60V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
107W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO262-3
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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