Número de peza :
RN1705JE(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Tipo de transistor :
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
100mA
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
50V
Resistor - Base (R1) :
2.2 kOhms
Resistor - Base do emisor (R2) :
47 kOhms
Ganancia de corrente continua (hFE) (min) @ ic, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición :
250MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SOT-553
Paquete de dispositivos de provedores :
ESV