SQM200N04-1M1L_GE3 Prezos (USD) [40271unidades de stock]
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- 800 pcs$0.87385
- Número de peza:
- SQM200N04-1M1L_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 40V 200A TO-263.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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SQM200N04-1M1L_GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SQM200N04-1M1L_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
200A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
413nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
20655pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
375W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263-7
Paquete / Estuche :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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