IPD60R600E6ATMA1 Prezos (USD) [150876unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPD60R600E6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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IPD60R600E6ATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPD60R600E6ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
Serie :
CoolMOS™ E6
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
7.3A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 200µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
20.5nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
440pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
63W (Tc)
Temperatura de operación :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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