IDP08E65D2XKSA1 Prezos (USD) [59949unidades de stock]
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- Número de peza:
- IDP08E65D2XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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IDP08E65D2XKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IDP08E65D2XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
650V
Actual - Media rectificada (Io) :
8A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
2.3V @ 3A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
40ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
40µA @ 650V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-220-2
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220-2
Temperatura de funcionamento: unión :
-40°C ~ 175°C
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