IXFN80N60P3 Prezos (USD) [4410unidades de stock]
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- 10 pcs$9.99384
- 100 pcs$8.53528
- Número de peza:
- IXFN80N60P3
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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IXFN80N60P3 Atributos do produto
Número de peza :
IXFN80N60P3
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Serie :
HiPerFET™, Polar3™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
66A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
13100pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
960W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-227B
Paquete / Estuche :
SOT-227-4, miniBLOC
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