RS1BHE3_A/H Prezos (USD) [970239unidades de stock]
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- Número de peza:
- RS1BHE3_A/H
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 1.0A 150ns 32 Amp IFSM
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
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RS1BHE3_A/H Atributos do produto
Número de peza :
RS1BHE3_A/H
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.3V @ 1A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
150ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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