Fabricante :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 9A 8-DFN
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9A (Ta), 25A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
888pF @ 15V
Disipación de potencia (máx.) :
3.1W (Ta), 15.5W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-DFN (3x3)
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN