Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Inicio
  2. Produtos
  3. Circuítos Integrados (ICs)
  4. Memoria
  5. W947D2HBJX6E TR

Winbond Electronics - W947D2HBJX6E TR

KEY Part #: K942476

W947D2HBJX6E TR Prezos (USD) [47612unidades de stock]

  • 1 pcs$1.02726
  • 2,500 pcs$1.02215
Número de peza:
W947D2HBJX6E TR
Fabricante:
Winbond Electronics
Descrición detallada:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mDDR, x32, 166MHz, 65nm T&R
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: PMIC - Interruptores de distribución de enerxía, c, PMIC - Controladores láser, Incrustado: Microcontroladores, Memoria: Proms de configuración para FPGAs, Interface - UARTs (transmisor receptor asíncrono u, Interface - Expansores de E / S, Lóxica: Interruptores de sinal, multiplexadores, d and PMIC - Controladores de alimentación Ethernet (PoE ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Winbond Electronics W947D2HBJX6E TR electronic components. W947D2HBJX6E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W947D2HBJX6E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D2HBJX6E TR Atributos do produto

Número de peza : W947D2HBJX6E TR
Fabricante : Winbond Electronics
Descrición : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - Mobile LPDDR
Tamaño da memoria : 128Mb (4M x 32)
Frecuencia do reloxo : 166MHz
Cycle Time - Word, páx : 15ns
Tempo de acceso : 5ns
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operación : -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 90-TFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 90-VFBGA (8x13)

Últimas novas

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Tamén pode estar interesado
  • NDS63PT9-16IT

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP.

  • IS25WP128F-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 128Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q128FWPIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M SPI 20MHZ 8SOIC. SRAM 2Mb 256Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial SRAM

  • IS25WP032A-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.

Pezas quentes