Taiwan Semiconductor Corporation - RS1JLHRUG

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Número de peza:
RS1JLHRUG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1JLHRUG Atributos do produto

Número de peza : RS1JLHRUG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición : DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 800mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.3V @ 800mA
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 250ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-219AB
Paquete de dispositivos de provedores : Sub SMA
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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