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- Número de peza:
- IXTM50N20
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- POWER MOSFET TO-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Tiristores: TRIAC, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in IXYS IXTM50N20 electronic components. IXTM50N20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTM50N20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTM50N20 Atributos do produto
Número de peza :
IXTM50N20
Fabricante :
IXYS
Descrición :
POWER MOSFET TO-3
Serie :
GigaMOS™
Estado da parte :
Last Time Buy
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
50A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
220nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4600pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-204AE
Paquete / Estuche :
TO-204AE
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