DMN33D8LDW-13 Prezos (USD) [1445909unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMN33D8LDW-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.25A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores: SCRs, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Diodos - Zener - Arrays ...
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DMN33D8LDW-13 Atributos do produto
Número de peza :
DMN33D8LDW-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
1.23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
48pF @ 5V
Potencia: máx :
350mW
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-363
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