APTGT50DDA120T3G Prezos (USD) [2171unidades de stock]
- 1 pcs$19.94701
- 100 pcs$19.48626
- Número de peza:
- APTGT50DDA120T3G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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APTGT50DDA120T3G Atributos do produto
Número de peza :
APTGT50DDA120T3G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuración :
Dual Boost Chopper
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
75A
Potencia: máx :
270W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 50A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
250µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
3.6nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operación :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
SP3
Paquete de dispositivos de provedores :
SP3
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