RS1G-M3/5AT Prezos (USD) [1454001unidades de stock]
- 1 pcs$0.02685
- 22,500 pcs$0.02671
- Número de peza:
- RS1G-M3/5AT
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC. Rectifiers 1A,400V,SMRECTIFIER
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Unión programable, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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RS1G-M3/5AT Atributos do produto
Número de peza :
RS1G-M3/5AT
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
400V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.3V @ 1A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
150ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 400V
Capacitancia @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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- GP10G-4004E-M3/73
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- RF 1A
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- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
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- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G