Número de peza :
RN1427TE85LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Tipo de transistor :
NPN - Pre-Biased
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
800mA
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
50V
Resistor - Base (R1) :
2.2 kOhms
Resistor - Base do emisor (R2) :
10 kOhms
Ganancia de corrente continua (hFE) (min) @ ic, Vce :
90 @ 100mA, 1V
Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic :
250mV @ 1mA, 50mA
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
500nA
Frecuencia - Transición :
300MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos de provedores :
S-Mini