BAV23C-G3-18 Prezos (USD) [1839885unidades de stock]
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- Número de peza:
- BAV23C-G3-18
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250V 625mA .5A IFSM Dual Common Cathode
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unión programable and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV23C-G3-18 electronic components. BAV23C-G3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV23C-G3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV23C-G3-18 Atributos do produto
Número de peza :
BAV23C-G3-18
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT23
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Configuración do diodo :
1 Pair Common Cathode
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) :
200mA (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.25V @ 200mA
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100nA @ 200V
Temperatura de funcionamento: unión :
150°C (Max)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-23
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