Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 1KV 40A DO5
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1000V
Actual - Media rectificada (Io) :
40A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 40A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
500ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
25µA @ 100V
Tipo de montaxe :
Chassis, Stud Mount
Paquete / Estuche :
DO-203AB, DO-5, Stud
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-5
Temperatura de funcionamento: unión :
-40°C ~ 125°C