Microsemi Corporation - 1N5809US

KEY Part #: K6426619

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Número de peza : 1N5809US

Fabricante : Microsemi Corporation

Descrición : DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Serie : -

Estado da parte : Active

Tipo de diodo : Standard

Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V

Actual - Media rectificada (Io) : 3A

Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 875mV @ 4A

Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo de recuperación inversa (trr) : 30ns

Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 100V

Capacitancia @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz

Tipo de montaxe : Surface Mount

Paquete / Estuche : SQ-MELF, B

Paquete de dispositivos de provedores : B, SQ-MELF

Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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