FESB8GTHE3/81 Prezos (USD) [108895unidades de stock]
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- 800 pcs$0.31814
- Número de peza:
- FESB8GTHE3/81
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 400 Volt 50ns 125 Amp IFSM
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unión programable, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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FESB8GTHE3/81 Atributos do produto
Número de peza :
FESB8GTHE3/81
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
400V
Actual - Media rectificada (Io) :
8A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.3V @ 8A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 400V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263AB
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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- D251K12BXPSA1
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- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
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- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
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- RL103-AP
- ER303-AP
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- ES3A M6G