IRLR110TR Prezos (USD) [62670unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRLR110TR
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix IRLR110TR electronic components. IRLR110TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR110TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLR110TR Atributos do produto
Número de peza :
IRLR110TR
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.3A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
540 mOhm @ 2.6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6.1nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
250pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D-Pak
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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